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S29GL01GT10TFI010
闪存, MirrorBit Eclipse架构, 并行NOR, 1 Gbit, 128M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY112.410 (CNY127.0233) |
| 10+ | CNY106.190 (CNY119.9947) |
| 25+ | CNY103.800 (CNY117.294) |
| 50+ | CNY100.470 (CNY113.5311) |
| 100+ | CNY98.460 (CNY111.2598) |
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产品概述
S29GL01GT10TFI010 是一款 1Gb（128MB）、并行 3.0V、GL-T MIRRORBIT™ 闪存。该器件的页面访问时间快至 15ns，相应的随机访问时间快至 100ns。它具有一个写缓冲区，一次操作最多可对 256 个字/512 个字节进行编程，因此有效编程时间比标准编程算法更快。因此，该器件非常适合当今需要更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式应用。
- 100ns 随机存取速度，采用 45nm 工艺技术制造
- VIO=VCC=2.7V 至 3.6V，最高地址扇区受 CFI 1.5 版保护
- 读取/编程/擦除使用单电源（VCC）（2.7V 至 3.6V）
- 多功能 I/O 功能 - 宽 I/O 电压范围 (VIO) 1.65V 至 VCC
- ×8/×16 数据总线，异步 32 字节页面读取
- 自动错误检查和纠正 (ECC) 内部硬件 ECC，具有单位错误纠正功能
- 暂停与恢复命令, 用于编程与擦除操作
- 采用状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法确定设备状态
- 100,000 次编程/擦除循环，20 年数据保存期
- TSOP 封装，工业温度范围为 -40°C 至 +85°C
技术规格
闪存类型
并行NOR
记忆配置
128M x 8位
IC 外壳 / 封装
TSOP
时钟频率最大值
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
1Gbit
接口
CFI, 并行
针脚数
56引脚
存取时间
100ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423269
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003714