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S29AL008J70TFI010
闪存, 并行NOR, 8 Mbit, 1M x 8位 / 512K x 16位, CFI, TSOP, 48 引脚
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| 25+ | CNY30.960 (CNY34.9848) |
| 50+ | CNY30.020 (CNY33.9226) |
| 100+ | CNY29.090 (CNY32.8717) |
| 250+ | CNY28.630 (CNY32.3519) |
| 500+ | CNY28.160 (CNY31.8208) |
| 1000+ | CNY27.630 (CNY31.2219) |
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最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S29AL008J70TFI010
库存编号1791328
也称为SP005672889, S29AL008J70TFI010
技术数据表
闪存类型并行NOR
存储密度8Mbit
接口CFI
IC 外壳 / 封装TSOP
针脚数48引脚
时钟频率最大值-
存取时间70ns
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Parallel NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
S29AL008J70TFI010 的替代之选
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产品概述
S29AL008J70TFI010是一款8MB CMOS引导扇区闪存, 被组织为1048576字节或524288字. 字宽数据在DQ15-DQ0上, 字节宽数据在DQ7-DQ0上. 器件使用标准系统3VCC电源, 在系统内进行编程. 该器件也可以在标准EPROM编程器中编程. 该器件提供高达70ns的访问时间, 允许高速微处理器无需等待状态即可运行. 为了消除总线争用, 器件具有独立的芯片启用 (CE#), 写入启用(WE#), 和输出启用(OE#)控制. 该器件只需要一个3V电源即可开始读写功能. 内部产生和调节的电压, 用于编程和擦除操作. S29AL008J完全兼容JEDEC单电源闪存标准命令集. 通过使用标准微处理器写入时序, 可将命令写入命令寄存器.
- 引导扇区设备
- 采用110nm工艺技术制造 - 与200nm S29AL008D完全兼容
- 安全硅扇区域
- 灵活的扇区架构
- 硬件方法锁定扇区, 以防止该扇区内的任何编程或擦除操作
- 发出多个编程命令时, 减少整体编程时间
- 引脚和软件与单电源闪存相互兼容
- 良好的无意写入保护
- 高性能
- 超低功耗
- 每扇区1000000周期耐久性 (典型值)
- 数据保留 - 20年 (典型值)
- 擦除暂停/擦除恢复
- Data#轮询与切换位
- 提供检测编程或擦除周期完成的硬件方法
- 硬件方法将设备重置为读取阵列数据
技术规格
闪存类型
并行NOR
记忆配置
1M x 8位 / 512K x 16位
IC 外壳 / 封装
TSOP
时钟频率最大值
-
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Parallel NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
8Mbit
接口
CFI
针脚数
48引脚
存取时间
70ns
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.006133