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S28HS512TGABHI010
闪存, 串行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, SPI, FBGA, 24 引脚
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY105.700 (CNY119.441) |
| 10+ | CNY98.580 (CNY111.3954) |
| 25+ | CNY95.710 (CNY108.1523) |
| 50+ | CNY93.530 (CNY105.6889) |
| 100+ | CNY91.270 (CNY103.1351) |
| 250+ | CNY85.340 (CNY96.4342) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S28HS512TGABHI010
库存编号3288093
也称为SP005662697, S28HS512TGABHI010
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度512Mbit
记忆配置64M x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装FBGA
针脚数24引脚
时钟频率最大值200MHz
存取时间-
电源电压最小值1.7V
电源电压最大值2V
额定电源电压1.8V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围1.8V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S28HS512TGABHI010是一款SEMPER™闪存。该高速CMOS MIRRORBIT™ NOR闪存器件符合JEDEC JESD251扩展SPI（xSPI）规范。 SEMPER™专为功能安全设计，依据ISO 26262标准开发，满足ASIL-B认证要求并具备ASIL-D准备状态。该闪存采用灵活的扇区架构。 器件控制逻辑划分为两个并行操作单元：主机接口控制器（HIC）与嵌入式算法控制器（EAC）。HIC实时监测器件输入信号电平，并驱动输出端完成与主机系统的读取、编程及写入数据传输。该八线接口闪存通过在存储阵列编程过程中生成嵌入式汉明纠错码，实现错误检测与纠正功能。
- 45nm MIRRORBIT™技术，每个存储阵列单元存储两个数据位
- 1024字节（32×32字节）一次性可编程安全硅阵列
- 内存阵列和设备配置的传统块保护（LBP）
- 先进扇区保护（ASP）技术，实现独立存储阵列扇区级保护
- 自动启动功能可在上电后立即访问存储器阵列
- 描述设备功能与特性的串行闪存可发现参数（SFDP）
- 512Mb密度，支持200MHz SDR与200MHz DDR性能
- 1.7V至2.0V电源电压
- 24-ball BGA封装
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
64M x 8位
IC 外壳 / 封装
FBGA
时钟频率最大值
200MHz
电源电压最小值
1.7V
额定电源电压
1.8V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
1.8V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
512Mbit
接口
SPI
针脚数
24引脚
存取时间
-
电源电压最大值
2V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.138663