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S25HL512TFANHI010
闪存, 串行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, QPI, SPI, WSON-EP, 8 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 25+ | CNY80.140 (CNY90.5582) |
| 50+ | CNY78.170 (CNY88.3321) |
| 100+ | CNY65.320 (CNY73.8116) |
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| 500+ | CNY63.410 (CNY71.6533) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25HL512TFANHI010
库存编号3288081
也称为SP005658109, S25HL512TFANHI010
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度512Mbit
记忆配置64M x 8位
接口QPI, SPI
IC 外壳 / 封装WSON-EP
针脚数8引脚
时钟频率最大值166MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值85°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
S25HL512TFANHI010 是一款采用 8 引脚 WSON-EP 封装的 S25HS 1.8V SEMPER 闪存四路串行外围接口 (SPI)。
- 512Mb 密度
- CYPRESS™ 45纳米MIRRORBIT™技术，每个存储单元可存储两个数据位
- 166MHz SDR和102MHz DDR
- 内存阵列和设备配置的传统块保护
- 基于独立存储阵列扇区的先进扇区保护
- 自动启动功能可在上电后立即访问存储器阵列
- 主阵列最小1,280,000次编程擦除循环
- 电源电压范围: 2.7V到3.6V
- 工业温度范围: -40°C到+85°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
64M x 8位
IC 外壳 / 封装
WSON-EP
时钟频率最大值
166MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
512Mbit
接口
QPI, SPI
针脚数
8引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
85°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.01016