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S25FL256LAGMFN000
闪存, 浮动门架构, 串行NOR, 256 Mbit, 32M x 8位, QPI, SPI, SOIC, 16 引脚
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产品概述
S25FL256LAGMFN000 是一款 FL-L 系列 256Mbit（32Mbyte）3.0V FL-L 闪存。它提供高密度存储，同时具备移动或嵌入式应用所需的灵活性和快速性能。 为空间、信号连接及功耗受限的系统提供理想存储方案。该存储器在灵活性和性能方面远超普通串行闪存设备，特别适用于代码镜像至RAM、直接执行代码（XIP）以及存储可重新编程数据。FL-L系列通过SPI接口连接主机系统。 其架构采用页编程缓冲区设计，支持单次操作编程256字节，并提供独立4KB扇区、32KB半块、64KB块或全芯片擦除功能。通过在支持更高时钟频率的FL-L系列器件上采用四路命令，指令读取传输速率可媲美甚至超越传统并行接口异步NOR闪存，同时大幅减少信号数量。
- 程序架构，256字节页编程缓冲区3.0V FL-L闪存
- 程序暂停和恢复
- 100,000 次编程/擦除循环，20 年数据保存期
- 状态和配置寄存器保护、传统块保护：块范围
- 主闪存阵列外设四个安全区域，每个区域256字节
- 65纳米浮栅技术
- CMOS I/O单电源电压：2.7V至3.6V
- 均匀4KB扇区擦除，均匀32KB半块擦除
- 统一的64KB块擦除、芯片擦除、擦除暂停与恢复
- 16引脚SOIC封装，-40°C至+125°C扩展温度范围
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
32M x 8位
IC 外壳 / 封装
SOIC
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
256Mbit
接口
QPI, SPI
针脚数
16引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002117