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S25FL256LAGBHV020
闪存, 串行NOR, 256 Mbit, 32M x 8位, SPI, BGA, 24 引脚
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| 25+ | CNY40.950 (CNY46.2735) |
| 50+ | CNY39.970 (CNY45.1661) |
| 100+ | CNY39.080 (CNY44.1604) |
| 250+ | CNY37.500 (CNY42.375) |
| 500+ | CNY36.010 (CNY40.6913) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25FL256LAGBHV020
库存编号2771147
也称为SP005660553, S25FL256LAGBHV020
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度256Mbit
记忆配置32M x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装BGA
针脚数24引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值105°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
Cypress Semiconductor S25FL256LAGBHV020 是一款256Mbit (32MB), 3V FL-L闪存器件, 24引脚5 x 5 ball BGA封装. 该器件采用65nm浮栅工艺技术, 是一款闪存非易失性存储器产品. 支持传统SPI单位串行I/P和O/P (单I/O或SIO), 两位 (dual I/O或DIO), 四位宽Quad I/O (QIO), 四外设接口 (QPI)命令. DDR读取命令(QIO和QPI), 可在时钟的两个沿(上升和下降)传输地址和读取数据. 这种结构提供页编程缓冲区, 该缓冲区允许单次操作编程256个字节, 并提供单4KB扇区, 32KB半块, 64KB整块, 或全芯片擦除能力. 该器件具有高密度, 良好的灵活性, 优异的速度, 非常适合各种移动或嵌入式应用. 适用于空间, 信号连接和电源有限的系统. 非常适合将代码映射到RAM, 直接执行代码, 和存储可重新编程的数据.
- 突发包络, 连续, QPI模式, 串行外设接口 (SPI)带multi-I/O
- X1/X2/X4总线宽度, 133MHz速度, 2.7V至3.6V单电源电压带CMOS I/O
- 最少100,000次编程/擦除周期, 20年数据保留
- 6MB/s (50MHz)标准读取速度, 16.5MB/s (133MHz)快速读取速度
- 传统块保护 (块范围), 单独与区域保护
- 标准, 快速, dual I/O, quad I/O, dualO, quadO, DDR quad I/O命令
- 扩展寻址 (24或32位地址选项)
- 串行闪存可发现参数 (SFDP), 用于配置信息
- 编程暂停与恢复, 擦除暂停/恢复, 1024B安全区域/OTP
- 状态与配置寄存器保护, 温度范围为-40°C至+105°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
32M x 8位
IC 外壳 / 封装
BGA
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
256Mbit
接口
SPI
针脚数
24引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
105°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001667