打印页面
图片仅用于图解说明,详见产品说明。

可订购
制造商标准交货时间:21 周
有货时请通知我
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY48.510 (CNY54.8163) |
| 10+ | CNY46.720 (CNY52.7936) |
| 25+ | CNY45.930 (CNY51.9009) |
| 50+ | CNY45.330 (CNY51.2229) |
| 100+ | CNY44.850 (CNY50.6805) |
| 250+ | CNY43.160 (CNY48.7708) |
| 500+ | CNY40.690 (CNY45.9797) |
包装规格:每个
最低: 1
多件: 1
CNY48.51 (CNY54.82 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25FL256LAGBHM020
库存编号2771151
也称为SP005660525, S25FL256LAGBHM020
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度256Mbit
记忆配置32M x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装BGA
针脚数24引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压-
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
Cypress Semiconductor S25FL256LAGBHM020 是一款256Mbit (32MB), 3V FL-L闪存器件, 24引脚5 x 5 ball BGA封装. 该器件采用65nm浮栅工艺技术, 是一款闪存非易失性存储器产品. 支持传统SPI单位串行I/P和O/P (单I/O或SIO), 两位 (dual I/O或DIO), 四位宽Quad I/O (QIO), 四外设接口 (QPI)命令. DDR读取命令(QIO和QPI), 可在时钟的两个沿(上升和下降)传输地址和读取数据. 这种结构提供页编程缓冲区, 该缓冲区允许单次操作编程256个字节, 并提供单4KB扇区, 32KB半块, 64KB整块, 或全芯片擦除能力. 该器件具有高密度, 良好的灵活性, 优异的速度, 非常适合各种移动或嵌入式应用. 适用于空间, 信号连接和电源有限的系统. 非常适合将代码映射到RAM, 直接执行代码, 和存储可重新编程的数据.
- 突发包络, 连续, QPI模式, 串行外设接口 (SPI)带multi-I/O
- X1/X2/X4总线宽度, 133MHz速度, 2.7V至3.6V单电源电压带CMOS I/O.
- 最少100,000次编程/擦除周期, 20年数据保留
- 6MB/s (50MHz)标准读取速度, 16.5MB/s (133MHz)快速读取速度
- 传统块保护 (块范围), 单独与区域保护
- 标准, 快速, dual I/O, quad I/O, dualO, quadO, DDR quad I/O命令
- 扩展寻址 (24或32位地址选项), 符合AEC-Q100 1级标准
- 串行闪存可发现参数 (SFDP), 用于配置信息
- 编程暂停与恢复, 擦除暂停/恢复, 1024B安全区域/OTP
- 状态与配置寄存器保护, 温度范围为-40°C至+125°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
32M x 8位
IC 外壳 / 封装
BGA
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
-
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
256Mbit
接口
SPI
针脚数
24引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001667
