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S25FL128LAGMFM010
闪存, AEC-Q100, 串行NOR, 128 Mbit, 16M x 8位, SPI, SOIC, 8 引脚
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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|---|---|
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| 10+ | CNY33.690 (CNY38.0697) |
| 25+ | CNY32.800 (CNY37.064) |
| 50+ | CNY32.020 (CNY36.1826) |
| 100+ | CNY31.320 (CNY35.3916) |
| 250+ | CNY31.020 (CNY35.0526) |
| 500+ | CNY30.240 (CNY34.1712) |
| 1000+ | CNY29.550 (CNY33.3915) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号S25FL128LAGMFM010
库存编号2771145
也称为SP005653795, S25FL128LAGMFM010
技术数据表
闪存类型串行NOR
存储密度128Mbit
记忆配置16M x 8位
接口SPI
IC 外壳 / 封装SOIC
针脚数8引脚
时钟频率最大值133MHz
存取时间-
电源电压最小值2.7V
电源电压最大值3.6V
额定电源电压3V
芯片安装表面安装
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
产品范围3V Serial NOR Flash Memories
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
Cypress Semiconductor S25FL128LAGMFM010 是一款汽车AEC-Q100 Grade 2认证, 128Mbit (16Mbyte), 3.0V FL-L闪存器件, SOIC-8封装. 该器件采用65nm浮栅工艺技术, 是一款闪存非易失性存储器产品. 支持传统SPI单bit串行输入和输出 (single I/O或SIO), 两bit (dual I/O或DIO), 四bit宽quad I/O (QIO), 四外设接口 (QPI)命令. 此外, 该器件还具有双倍数据速率 (DDR)读取命令, 可在时钟的两个沿传输地址和读取数据, 用于QIO和QPI. 该器件可为移动或嵌入式应用提供高密度, 高灵活性, 快速响应性能. 非常适合空间有限, 信号连接, 功率有限的系统. 该存储器的灵活性和性能远远超出普通串行闪存设备. 非常适用于RAM的代码遮蔽, 直接执行代码 (XIP), 以及存储可重新编程的数据.
- 突发包络, 连续 (XIP), QPI模式, 串行外设接口 (SPI)带multi-I/O
- x1/x2/x4总线宽度, 133MHz速度, 2.7V至3.6V单电源电压带CMOS I/O
- 最少100,000次编程/擦除周期, 20年数据保留
- 6MB/s (50MHz)标准读取速度, 16.5MB/s (133MHz)快速读取速度
- 传统块保护 (块范围), 单独与区域保护
- 标准, 快速, dual I/O, quad I/O, dualO, quadO, DDR quad I/O命令
- 扩展寻址 (24或32位地址选项)
- 串行闪存可发现参数 (SFDP), 用于配置信息
- 编程暂停与恢复, 擦除暂停/恢复, 1024B安全区域/OTP
- 状态与配置寄存器保护, 温度范围: -40°C到+125°C
技术规格
闪存类型
串行NOR
记忆配置
16M x 8位
IC 外壳 / 封装
SOIC
时钟频率最大值
133MHz
电源电压最小值
2.7V
额定电源电压
3V
工作温度最小值
-40°C
产品范围
3V Serial NOR Flash Memories
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
存储密度
128Mbit
接口
SPI
针脚数
8引脚
存取时间
-
电源电压最大值
3.6V
芯片安装
表面安装
工作温度最高值
125°C
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423261
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.161025