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ISCH69N04NM7VATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 357 A, 650 µohm, TDSON, 表面安装
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| 500+ | CNY8.540 (CNY9.6502) |
| 1000+ | CNY8.160 (CNY9.2208) |
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
357A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
167W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
650µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.15V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 7 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000001