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ISC012N04NM7VATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 219 A, 1150 µohm, TDSON, 表面安装
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号ISC012N04NM7VATMA1复制
库存编号4732097
产品范围OptiMOS 7 Series
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续219A
漏源接通状态电阻1150µohm
晶体管封装类型TDSON
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压15V
阈值栅源电压最大值3.15V
功率耗散115W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围OptiMOS 7 Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
219A
晶体管封装类型
TDSON
Rds(on)测试电压
15V
功率耗散
115W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1150µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3.15V
针脚数
8引脚
产品范围
OptiMOS 7 Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000001