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IRSM005-301MHTR
智能功率模块 (IPM), MOSFET, 100 V, 30 A, PQFN, CIPOS Nano
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY28.030 | CNY28.03 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY28.030 (CNY31.6739) |
| 10+ | CNY27.040 (CNY30.5552) |
| 25+ | CNY25.090 (CNY28.3517) |
| 50+ | CNY23.140 (CNY26.1482) |
| 100+ | CNY21.180 (CNY23.9334) |
| 500+ | CNY17.760 (CNY20.0688) |
品項附註
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产品概述
IRSM005-301MHTR is a general purpose half-bridge with an integrated gate driver. It is a general-purpose building block suitable for a variety of low-voltage applications where power density is of critical importance. Typical examples would be advanced motor drives, DC-to-AC and DC to DC converters.
- Package with low thermal resistance and minimal parasitics
- 16mohm typ low on-resistance HEXFETs
- Undervoltage lockout on Vcc and Vbs
- Independent gate drive in phase with logic input
- Gate drive supply range from 10V to 20V
- Propagation delay matched to defined spec
- 3.3V, 5V and 15V logic input compatible
- 27 pin 7x8mm PQFN package
技术规格
IPM 电源装置
MOSFET
电流值 (Ic / Id)
30A
IPM 外壳类型
PQFN
产品范围
CIPOS Nano Series
额定电压 (Vces / Vdss)
100V
隔离电压
-
IPM系列
CIPOS Nano
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423911
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012