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IRS2186SPBF
双路芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 4A输出, 170ns延迟, SOIC-8
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY26.660 (CNY30.1258) |
| 10+ | CNY18.130 (CNY20.4869) |
| 50+ | CNY17.220 (CNY19.4586) |
| 100+ | CNY16.300 (CNY18.419) |
| 250+ | CNY15.400 (CNY17.402) |
| 500+ | CNY15.080 (CNY17.0404) |
| 1000+ | CNY14.330 (CNY16.1929) |
| 2500+ | CNY13.570 (CNY15.3341) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRS2186SPBF复制
库存编号1556862
也称为SP001534920
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型IGBT, MOSFET
针脚数8引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流4A
灌电流4A
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟170ns
输出延迟170ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
产品概述
IRS2186SPBF是一款高压高速功率MOSFET与IGBT高压侧和低压侧驱动器, 独立的高压侧和低压侧参考输出通道. 专有的HVIC与闭锁免疫CMOS技术实现了稳定耐用的单片结构. 逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容, 并且兼容3.3V逻辑. 输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级, 旨在确保最小的驱动器交叉传导. 浮动通道可用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT, 高压侧配置下, 工作电压高达600V。
- 浮动通道设计用于自举运作
- 可承受负瞬态电压 (DV/DT免疫)
- 两条通道具有欠压闭锁
- 两条通道具有匹配的传播延迟
- 逻辑和电源接地±5V偏移
- 低di/dt栅极驱动器, 增强抗噪能力
- 输出拉电流/灌电流 4A/4A
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
8引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
4A
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
170ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
4A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
170ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00043