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IRS21844STRPBF
MOSFET驱动器, 半桥, 10 V至20 V电源, 1.4 A输出, 270 ns延迟, SOIC-14
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY16.530 | CNY16.53 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.530 (CNY18.6789) |
| 10+ | CNY11.210 (CNY12.6673) |
| 50+ | CNY10.600 (CNY11.978) |
| 100+ | CNY9.990 (CNY11.2887) |
| 250+ | CNY9.460 (CNY10.6898) |
| 500+ | CNY9.150 (CNY10.3395) |
| 1000+ | CNY8.920 (CNY10.0796) |
| 2500+ | CNY8.470 (CNY9.5711) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRS21844STRPBF复制
库存编号
复卷2710021RL
切割卷带2710021
也称为IRS21844STRPBF, SP001542876
技术数据表
通道数2放大器
栅极驱动器类型-
驱动配置半桥
电源开关类型IGBT, MOSFET
针脚数14引脚
IC 外壳 / 封装SOIC
芯片安装表面安装
输入类型非反向
拉电流1.9A
灌电流2.3A
电源电压最小值10V
电源电压最大值20V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟680ns
输出延迟270ns
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 2 - 1年
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
High voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with dependent high and low side referenced output channels.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Fully operational to +600V
- Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
- Gate drive supply range from 10V to 20V
- Undervoltage lockout for both channels
- 3.3V, 5V and 15V input logic compatible
- Matched propagation delay for both channels
- Logic and power ground +/- 5V offset
- Lower di/dt gate driver for better noise immunity
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道数
2放大器
驱动配置
半桥
针脚数
14引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
1.9A
电源电压最小值
10V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
680ns
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 2 - 1年
栅极驱动器类型
-
电源开关类型
IGBT, MOSFET
IC 外壳 / 封装
SOIC
输入类型
非反向
灌电流
2.3A
电源电压最大值
20V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
270ns
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002462