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IRLU3110ZPBF 的替代之选
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产品概述
IRLU3110ZPBF 是一款 HEXFET® 单 N 沟道功率 MOSFET,它利用最新的处理技术实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括 175°C 的结工作温度、快速的开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为一种极其高效和可靠的设备,可用于工业应用和各种其他应用。
- 先进的工艺技术
- 允许重复雪崩高达 Tjmax
- 逻辑电平
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
63A
晶体管封装类型
TO-251AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
140W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.014ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000907
