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IRLS4030-7PPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 110 A, 3900 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY58.580 (CNY66.1954) |
| 10+ | CNY40.050 (CNY45.2565) |
| 100+ | CNY30.890 (CNY34.9057) |
| 500+ | CNY27.360 (CNY30.9168) |
| 1000+ | CNY25.580 (CNY28.9054) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY58.58 (CNY66.20 含税)
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产品概述
The IRLS4030-7PPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is optimized for logic level drive. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Logic level
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
110A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
370W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
3900µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
7引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
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产品合规证书
重量（千克）：.00143