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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
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| 切割卷带 | 5 | CNY12.410 | CNY62.05 |
切割卷带 & 复卷
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|---|---|
| 5+ | CNY12.410 (CNY14.0233) |
| 50+ | CNY10.570 (CNY11.9441) |
| 100+ | CNY8.720 (CNY9.8536) |
| 500+ | CNY6.950 (CNY7.8535) |
| 1000+ | CNY6.370 (CNY7.1981) |
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产品概述
Single N-channel HEXFET® power MOSFET suitable for DC motor drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits applications.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
50A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
143W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
6800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IRLR3636TRPBF 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000406