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IRLR3410TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.500 | CNY9.50 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.500 (CNY10.735) |
| 10+ | CNY6.020 (CNY6.8026) |
| 100+ | CNY4.350 (CNY4.9155) |
| 500+ | CNY3.210 (CNY3.6273) |
| 1000+ | CNY2.730 (CNY3.0849) |
| 5000+ | CNY2.680 (CNY3.0284) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRLR3410TRPBF
库存编号
复卷2468057RL
切割卷带2468057
也称为SP001567392
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续17A
漏源接通状态电阻0.105ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散79W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The IRLR3410TRPBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient device for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Logic level gate drive
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Dynamic dV/dt rating
警告
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技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
17A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
79W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.105ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
IRLR3410TRPBF 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0006