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IRLL024NTRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 3.1 A, 0.065 ohm, SOT-223, 表面安装
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY6.060 | CNY30.30 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY6.060 (CNY6.8478) |
| 50+ | CNY4.480 (CNY5.0624) |
| 100+ | CNY3.970 (CNY4.4861) |
| 500+ | CNY3.060 (CNY3.4578) |
| 1000+ | CNY3.000 (CNY3.390) |
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产品概述
The IRLL024NTRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. It is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
- Logic level
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.1A
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.065ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001728