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IRLIZ34NPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 20 A, 0.035 ohm, TO-220FP, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品概述
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Logic level gate drive
- Advanced process technology
- Isolated package (High voltage isolation = 2.5KVRMS)
- Sink to lead Creepage dist. = 4.8mm
- Fully avalanche rated
- Low RDS(on)
- Industry-leading quality
- Dynamic dv/dt Rating
- 175°C operating temperature and logic level
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
20A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
31W
工作温度最高值
175°C
合规
-
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.035ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002