打印页面
IRLHS6276TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
5,171 有货
需要更多？
2441 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
2730 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY3.240 | CNY3.24 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY3.240 (CNY3.6612) |
| 10+ | CNY2.010 (CNY2.2713) |
| 100+ | CNY1.360 (CNY1.5368) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRLHS6276TRPBF
库存编号
复卷2726004RL
切割卷带2726004
产品范围HEXFET Series
也称为SP001552670
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道3.4A
连续漏极电流 Id P沟道3.4A
漏源通态电阻N沟道0.033ohm
漏源导通电阻P沟道0.033ohm
晶体管封装类型DFN2020
针脚数6引脚
耗散功率N沟道6.6W
耗散功率P沟道6.6W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
3.4A
漏源导通电阻P沟道
0.033ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
6.6W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
3.4A
漏源通态电阻N沟道
0.033ohm
晶体管封装类型
DFN2020
耗散功率N沟道
6.6W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Thailand
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000076