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IRLB8721PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 31 A, 8700 µohm, TO-220AB, 通孔
已停产
IRLB8721PBF 的替代之选
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产品概述
The IRLB8721PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high frequency synchronous buck, converters for computer processor power, optimized for UPS/inverter applications, high frequency isolated DC-DC converters with synchronous rectification for telecom and industrial use.
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Ultra low gate impedance
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
31A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
65W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
8700µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002