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IRLB8314PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.430 (CNY12.9159) |
| 10+ | CNY5.420 (CNY6.1246) |
| 100+ | CNY4.830 (CNY5.4579) |
| 500+ | CNY3.800 (CNY4.294) |
| 1000+ | CNY3.610 (CNY4.0793) |
| 5000+ | CNY3.590 (CNY4.0567) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRLB8314PBF
库存编号2617411
产品范围HEXFET Series
也称为SP001572766
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续171A
漏源接通状态电阻2400µohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
功率耗散125W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
IRLB8314PBF 是一款 HEXFET® 功率 MOSFET。其应用包括优化的 UPS/逆变器应用、低压电动工具。
- 为 UPS/逆变器应用提供同类最佳性能
- 超低栅极阻抗、完全特性化的雪崩电压和电流
- 静态漏极至源极导通电阻为 1.9mohm（典型值，VGS = 10V，ID = 68A，TJ = 25°C）
- 栅极总电荷为 40nC（典型值，VDS = 15V，VGS = 4.5V，ID = 68A，TJ = 25°C）
- 漏极至源极击穿电压最低为 30V（VGS = 0V，ID = 250µA，TJ = 25°C）
- 开启延迟时间为 19ns（典型值，VDD = 15V，TJ = 25°C）
- 关断延迟时间为 32ns（典型值，VDD = 15V，TJ = 25°C）
- 输入电容为 5050pF（典型值，VGS = 0V，TJ = 25°C）
- 输出电容为 890pF（典型值，VGS = 0V，TJ = 25°C）
- TO-220AB 封装，工作结温范围为 -55 至 175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
171A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
125W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
2400µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.005534