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IRLB4132PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 78 A, 3500 µohm, TO-220AB, 通孔
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|---|---|
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| 10+ | CNY7.010 (CNY7.9213) |
| 100+ | CNY4.720 (CNY5.3336) |
| 500+ | CNY3.710 (CNY4.1923) |
| 1000+ | CNY3.110 (CNY3.5143) |
| 5000+ | CNY3.050 (CNY3.4465) |
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产品概述
HEXFET® Power MOSFET in TO-220AB package optimized for UPS/inverter applications.
- Very low RDS(on) at 4.5V VGS
- Ultra-low gate impedance
- Fully characterized avalanche voltage and current
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
78A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
140W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3500µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003266