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IRL3803PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 120 A, 6000 µohm, TO-220AB, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
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产品概述
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Logic level gate drive
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- 175°C operating temperature
- Fast switching and fully avalanche rated
- Planar cell structure for wide SOA
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current carrying capability package
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
150W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
6000µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002