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最低: 1
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产品概述
- Single N-channel HEXFET® power MOSFET
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Dynamic dv/dt rating
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
22A
晶体管封装类型
TO-251AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
69W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
55V
漏源接通状态电阻
0.065ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001413
