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IRFTS8342TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 8.2 A, 0.019 ohm, TSOP, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
已停产
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFTS8342TRPBF
库存编号2114659
也称为SP001552394
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续8.2A
漏源接通状态电阻0.019ohm
晶体管封装类型TSOP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.8V
功率耗散2W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
IRFTS8342TRPBF 的替代之选
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产品概述
The IRFTS8342TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for battery powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, DC-to-DC and AC-to-DC converters.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Industry standard pin-out
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
8.2A
晶体管封装类型
TSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.019ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000033