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IRFS4410ZTRLPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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|---|---|
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| 10+ | CNY13.230 (CNY14.9499) |
| 50+ | CNY11.330 (CNY12.8029) |
| 100+ | CNY9.420 (CNY10.6446) |
| 250+ | CNY9.240 (CNY10.4412) |
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最低: 1
多件: 1
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产品概述
HEXFET® power MOSFET suitable for use in high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
97A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
230W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
9000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001