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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY35.650 | CNY35.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY35.650 (CNY40.2845) |
| 10+ | CNY23.540 (CNY26.6002) |
| 50+ | CNY20.120 (CNY22.7356) |
| 100+ | CNY16.690 (CNY18.8597) |
| 250+ | CNY16.360 (CNY18.4868) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFS4229TRLPBF复制
制造商标准货期39 周
库存编号
复卷2803424RL
切割卷带2803424
产品范围HEXFET
也称为IRFS4229TRLPBF, SP001557392
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds250V
电流, Id 连续45A
漏源接通状态电阻0.048ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散330W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围HEXFET
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
HEXFET®功率MOSFET是专门为等离子显示面板的维持、能量恢复和通过开关应用而设计的。它的特点是低EPULSE等级,以减少PDP维持、能量恢复和通过开关应用中的功率耗散。
- 先进的工艺技术
- 低QG, 快速响应
- 高重复性峰值电流能力, 高可靠运行
- 下降&上升时间非常短, 快速开关
- 175°C的工作结点温度,提高了耐用性
- 重复性雪崩能力, 确保可靠性
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
45A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
330W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
0.048ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IRFS4229TRLPBF 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001

