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IRFR5410TRPBF
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY12.860 | CNY12.86 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY12.860 (CNY14.5318) |
| 10+ | CNY8.630 (CNY9.7519) |
| 100+ | CNY5.790 (CNY6.5427) |
| 500+ | CNY4.580 (CNY5.1754) |
| 1000+ | CNY3.520 (CNY3.9776) |
| 5000+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFR5410TRPBF
库存编号
复卷2468040RL
切割卷带2468040
也称为SP001557100
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续13A
漏源接通状态电阻0.205ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值4V
功率耗散66W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The IRFR5410TRPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. It is designed for surface-mounting using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Power dissipation levels up to 1.5W are possible in typical surface-mount applications.
- Advanced process technology
- Fully avalanche rating
- Low static drain-to-source ON-resistance
- Dynamic dV/dt rating
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
13A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
66W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.205ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000631