打印页面
IRFR4510TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 56 A, 0.0139 ohm, TO-252AA, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
3,600 有货
需要更多？
3596 件可于 3-4 个工作日内送达(新加坡 库存)
4 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
该库存量售罄后，将不再备货
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY16.080 (CNY18.1704) |
| 10+ | CNY10.370 (CNY11.7181) |
| 100+ | CNY8.390 (CNY9.4807) |
| 500+ | CNY7.780 (CNY8.7914) |
| 1000+ | CNY6.420 (CNY7.2546) |
| 5000+ | CNY6.300 (CNY7.119) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY16.08 (CNY18.17 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFR4510TRPBF
库存编号2253795
也称为SP001567870
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续56A
漏源接通状态电阻0.0139ohm
晶体管封装类型TO-252AA
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散143W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
100V Single N-Channel HEXFET® power MOSFET suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits applications.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
56A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
143W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0139ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000895