打印页面
IRFR3607TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 75 V, 56 A, 9000 µohm, TO-252 (DPAK), 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
10,156 有货
需要更多？
10156 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY10.540 | CNY52.70 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY10.540 (CNY11.9102) |
| 50+ | CNY7.080 (CNY8.0004) |
| 250+ | CNY5.650 (CNY6.3845) |
| 1000+ | CNY4.880 (CNY5.5144) |
| 3000+ | CNY4.790 (CNY5.4127) |
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFR3607TRPBF
库存编号
复卷2101420RL
切割卷带2101420
也称为SP001567010
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds75V
电流, Id 连续56A
漏源接通状态电阻9000µohm
晶体管封装类型TO-252 (DPAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散140W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The IRFR3607TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized capacitance and avalanche SOA. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
56A
晶体管封装类型
TO-252 (DPAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
140W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
75V
漏源接通状态电阻
9000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000226