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| 50+ | CNY7.140 (CNY8.0682) |
| 250+ | CNY5.790 (CNY6.5427) |
| 1000+ | CNY4.840 (CNY5.4692) |
| 3000+ | CNY4.630 (CNY5.2319) |
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最低: 5
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IRFR3504ZTRPBF 的替代之选
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产品概述
Single N-channel HEXFET® power MOSFET ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters and DC-DC converters.
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- Product qualification according to JEDEC standard
- Standard pinout allows for drop in replacement
- Industry standard qualification level
- High performance in low frequency applications
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
42A
晶体管封装类型
TO-252AA
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
90W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
9000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0004