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IRFI530NPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 11 A, 0.11 ohm, TO-220FP, 通孔
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
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产品概述
IRFI530NPBF 是一款HEXFET® 第五代N沟道功率MOSFET, 采用先进的技术, 具有极低的单位面积导通电组。这种性能结合快速开关速度, 以及坚固耐用的器件设计, 提供极高效率和可靠性。封装无需额外的绝缘硬件。模塑化合物提供高隔离能力和低热阻。隔离效果相当于100 micron云母隔离层。可配合夹子或螺丝, 在器件上安装散热器。
- 先进的工艺技术
- 隔离封装
- 完全雪崩认证
- 低静态漏-源导通电阻
- 动态dV/dt额定值
- 2.5kVRMS 电压隔离
- 4.8mm ‘Sink to lead’爬电距离
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
11A
晶体管封装类型
TO-220FP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
33W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.11ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002