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IRFI4410ZPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 43 A, 7900 µohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
IRFI4410ZPBF is a HEXFET® power MOSFET. Application includes high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Drain-to-source breakdown voltage is 100V min (VGS = 0V, ID = 250µA, TJ = 25°C)
- Drain-to-source leakage current is 20µA max (VDS = 100V, VGS = 0V, TJ = 25°C)
- Breakdown voltage temp coefficient is 95mV/°C typ (reference to 25°C, ID = 5mA)
- Maximum power dissipation is 47W (TC = 25°C), gate-to-source voltage is ±30V
- Rise time is 27ns typ (VDD = 65V, ID = 26A, RG= 2.7ohm, VGS = 10V)
- Fall time is 30ns typ (VDD = 65V, ID = 26A, RG= 2.7ohm, VGS = 10V)
- TO-220 Full-Pak package, operating junction temperature range from -55 to +175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
43A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
47W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
7900µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 2 - 1年
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.003221