打印页面
IRFH7004TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PQFN, 表面安装
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
418 有货
需要更多？
418 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY15.600 (CNY17.628) |
| 10+ | CNY10.640 (CNY12.0232) |
| 100+ | CNY7.470 (CNY8.4411) |
| 500+ | CNY5.960 (CNY6.7348) |
| 1000+ | CNY5.530 (CNY6.2489) |
| 5000+ | CNY5.420 (CNY6.1246) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY15.60 (CNY17.63 含税)
品項附註
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
IRFH7004TRPBF 的替代之选
找到 2 件产品
产品概述
HEXFET®功率MOSFET 适用于有刷电机驱动、BLDC电机驱动、电池供电电路、半桥和全桥拓扑结构、同步整流器、谐振模式电源、OR-ing和冗余电源开关、DC/DC和AC/DC转换器、DC/AC逆变器应用。
- 改良门极, 雪崩与动态dv/dt耐用性
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 增强体二极管dV/dt与dI/dt功能
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
PQFN
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
156W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000131