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IRFB7437PBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, 通孔
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| 500+ | CNY6.610 (CNY7.4693) |
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多件: 1
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFB7437PBF
库存编号2253786
也称为SP001556080
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续195A
漏源接通状态电阻2000µohm
晶体管封装类型TO-220AB
晶体管安装通孔
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散230W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
IRFB7437PBF 是一款HEXFET® N沟道功率MOSFET, 增强栅极, 雪崩, 动态dV/dt耐用性能。适用于电池供电电路, 半桥和全桥拓扑, 同步整流器应用, DC-AC逆变器, DC-DC和AC-DC转换器。
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 增强型主体二极管dV/dt与di/dt功能
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
195A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
230W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
2000µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00195