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产品概述
单N沟道StrongIRFET™功率MOSFET是要求性能和坚固性的低频应用的理想选择。它适合用于有刷电机驱动应用、BLDC电机驱动应用、电池供电电路、半桥和全桥拓扑结构、同步整流器应用、谐振模式电源、OR-ing和冗余电源开关、DC/DC和AC/DC转换器以及DC/AC逆变器应用。
- 改良门极, 雪崩与动态dv/dt耐用性
- 完全表征电容值与雪崩SOA
- 增强体二极管dV/dt与dI/dt功能
- 高额定电流和高电流承载能力的封装
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 与前一代硅相比,体二极管更软
- 行业标准资格水平
- 低频应用中的高性能
- 增加功率密度
- 标准引脚可直接替换
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
195A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
375W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1300µohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
IRFB7430PBF 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00195

