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IRF8736TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 18 A, 4800 µohm, SOIC, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY14.910 | CNY14.91 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY14.910 (CNY16.8483) |
| 10+ | CNY9.040 (CNY10.2152) |
| 100+ | CNY5.500 (CNY6.215) |
| 500+ | CNY4.420 (CNY4.9946) |
| 1000+ | CNY4.150 (CNY4.6895) |
| 5000+ | CNY3.870 (CNY4.3731) |
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产品概述
The IRF8736TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for battery protection, high side and low side load switch, Notebook processor power and isolated DC-to-DC converters.
- Low gate charge
- 100% Rg tested
- Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
18A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
4800µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.8V
针脚数
8引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000188