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IRF8313TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 9.7 A, 9.7 A, 0.0125 ohm
已停产
包装选项
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF8313TRPBF复制
库存编号
复卷2468027RL
切割卷带2468027
也称为SP001577640
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道9.7A
连续漏极电流 Id P沟道9.7A
漏源通态电阻N沟道0.0125ohm
漏源导通电阻P沟道0.0125ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (23-Jan-2024)
IRF8313TRPBF 的替代之选
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产品概述
The IRF8313TRPBF is a dual N-channel Power MOSFET incorporates the latest HEXFET power silicon technology into the industry standard package. It has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operation including RDS (ON) and gate charge to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-to-DC converters that power the latest generation of processors for notebook and Netcom applications.
- Low gate charge and low RDS (ON)
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id P沟道
9.7A
漏源导通电阻P沟道
0.0125ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
9.7A
漏源通态电阻N沟道
0.0125ohm
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (23-Jan-2024)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000127