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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY11.740 | CNY11.74 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.740 (CNY13.2662) |
| 10+ | CNY7.420 (CNY8.3846) |
| 100+ | CNY5.380 (CNY6.0794) |
| 500+ | CNY4.230 (CNY4.7799) |
| 1000+ | CNY3.680 (CNY4.1584) |
| 5000+ | CNY3.120 (CNY3.5256) |
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产品概述
The IRF7862TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for battery protection, high side and low side load switch, notebook processor power and isolated DC-to-DC converters.
- Ultra-low gate impedance
- Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
- 100% Rg tested
- 20V VGS Maximum gate rating
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
21A
晶体管封装类型
SOIC
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
3300µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.35V
针脚数
8引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
IRF7862TRPBF 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074