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IRF7341TRPBFXTMA1
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 55 V, 4.7 A, 0.043 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7341TRPBFXTMA1复制
制造商标准货期64 周
库存编号
复卷4236356RL
切割卷带4236356
产品范围HEXFET Series
也称为SP005876277
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY11.420 | CNY11.42 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY11.420 (CNY12.9046) |
| 10+ | CNY6.860 (CNY7.7518) |
| 100+ | CNY4.640 (CNY5.2432) |
| 500+ | CNY3.730 (CNY4.2149) |
| 1000+ | CNY2.400 (CNY2.712) |
| 5000+ | CNY2.360 (CNY2.6668) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7341TRPBFXTMA1复制
制造商标准货期64 周
库存编号
复卷4236356RL
切割卷带4236356
产品范围HEXFET Series
也称为SP005876277
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道55V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道4.7A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.043ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SO-8
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
HEXFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
55V
连续漏极电流 Id N沟道
4.7A
漏源通态电阻N沟道
0.043ohm
晶体管封装类型
SO-8
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000139