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IRF7331TRPBF
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 7 A, 7 A, 0.03 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY6.620 | CNY6.62 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY6.620 (CNY7.4806) |
| 10+ | CNY4.620 (CNY5.2206) |
| 100+ | CNY3.460 (CNY3.9098) |
| 500+ | CNY2.930 (CNY3.3109) |
| 1000+ | CNY2.530 (CNY2.8589) |
| 5000+ | CNY2.390 (CNY2.7007) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7331TRPBF
库存编号
复卷2781210RL
切割卷带2781210
产品范围HEXFET Series
也称为SP001551258
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道7A
连续漏极电流 Id P沟道7A
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
7A
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
7A
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000074