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IRF7324TRPBF
双路场效应管, MOSFET, 双P通道, 20 V, 9 A
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY8.080 | CNY40.40 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY8.080 (CNY9.1304) |
| 50+ | CNY5.430 (CNY6.1359) |
| 250+ | CNY4.300 (CNY4.859) |
| 1000+ | CNY3.900 (CNY4.407) |
| 2000+ | CNY3.830 (CNY4.3279) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7324TRPBF
库存编号
复卷2468013RL
切割卷带2468013
产品范围HEXFET Series
也称为SP001570196
技术数据表
通道类型双P通道
漏源电压Vds N沟道-
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道-
连续漏极电流 Id P沟道9A
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道0.018ohm
晶体管封装类型SOIC
针脚数8引脚
耗散功率N沟道-
耗散功率P沟道2W
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
IRF7324TRPBF 的替代之选
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产品概述
The IRF7324TRPBF is a HEXFET® dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. It provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management applications.
- Ruggedized design
- Trench technology
- Ultra low ON-resistance
- Low profile
警告
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技术规格
通道类型
双P通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
9A
漏源导通电阻P沟道
0.018ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
2W
产品范围
HEXFET Series
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
-
漏源通态电阻N沟道
-
晶体管封装类型
SOIC
耗散功率N沟道
-
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005