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IRF7313TRPBFXTMA1
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 30 V, 6.5 A, 0.029 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 1 | CNY9.280 | CNY9.28 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY9.280 (CNY10.4864) |
| 10+ | CNY5.790 (CNY6.5427) |
| 100+ | CNY3.820 (CNY4.3166) |
| 500+ | CNY2.970 (CNY3.3561) |
| 1000+ | CNY2.270 (CNY2.5651) |
| 5000+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7313TRPBFXTMA1
库存编号
复卷4236345RL
切割卷带4236345
产品范围HEXFET Series
也称为SP005876276
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道6.5A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.029ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SO-8
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
HEXFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
6.5A
漏源通态电阻N沟道
0.029ohm
晶体管封装类型
SO-8
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001