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IRF7103TRPBFXTMA1
双路场效应管, MOSFET, 双N通道, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
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包装选项
| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY7.890 | CNY39.45 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY7.890 (CNY8.9157) |
| 10+ | CNY4.970 (CNY5.6161) |
| 100+ | CNY3.290 (CNY3.7177) |
| 500+ | CNY2.570 (CNY2.9041) |
| 1000+ | CNY1.820 (CNY2.0566) |
| 5000+ | CNY1.710 (CNY1.9323) |
品項附註
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF7103TRPBFXTMA1
库存编号
复卷4236355RL
切割卷带4236355
产品范围HEXFET Series
也称为SP005876269
技术数据表
通道类型双N通道
漏源电压Vds N沟道50V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道3A
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.13ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SO-8
针脚数8引脚
耗散功率N沟道2W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围HEXFET Series
合规-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
通道类型
双N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
HEXFET Series
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压Vds N沟道
50V
连续漏极电流 Id N沟道
3A
漏源通态电阻N沟道
0.13ohm
晶体管封装类型
SO-8
耗散功率N沟道
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001