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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY16.530 | CNY82.65 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY16.530 (CNY18.6789) |
| 50+ | CNY11.430 (CNY12.9159) |
| 250+ | CNY9.300 (CNY10.509) |
| 1000+ | CNY8.690 (CNY9.8197) |
| 2000+ | CNY8.520 (CNY9.6276) |
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产品概述
Single N-channel StrongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ MT package. The device is ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters and DC-DC converters.
- Application specific MOSFETs
- Ideal for CPU Core DC-DC converters
- Low conduction losses
- High Cdv/dt immunity
- Dual-side cooling capability
- Product qualification according to JEDEC standard
- Industry standard qualification level
- Optimum thermal performance
- Compact form factor and high efficiency
- Environmentally friendly
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长, 交货日期可能会有延迟.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
150A
晶体管封装类型
DirectFET MT
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
89W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
3400µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.25V
针脚数
7引脚
产品范围
HEXFET
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000454

