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IRF5802TRPBF
功率场效应管, MOSFET, N通道, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, 表面安装
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| 包装类型 | 数量 | 单价 (不含增值税): | 合计 |
|---|---|---|---|
| 切割卷带 | 5 | CNY5.040 | CNY25.20 |
切割卷带 & 复卷
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY5.040 (CNY5.6952) |
| 10+ | CNY3.120 (CNY3.5256) |
| 100+ | CNY2.020 (CNY2.2826) |
| 500+ | CNY1.530 (CNY1.7289) |
| 1000+ | CNY1.030 (CNY1.1639) |
| 5000+ | CNY0.946 (CNY1.069) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRF5802TRPBF
库存编号
复卷1298505RL
切割卷带1298505
也称为SP001561828
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds150V
电流, Id 连续900mA
漏源接通状态电阻1.2ohm
晶体管封装类型TSOP
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5.5V
功率耗散2W
针脚数6引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The IRF5802TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters, DC switches and load switch.
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Halogen-free
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
900mA
晶体管封装类型
TSOP
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
2W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
150V
漏源接通状态电阻
1.2ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
5.5V
针脚数
6引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000059