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IRF540ZPBF
功率MOSFET, N沟道, 100 V, 36 A, 0.0265 ohm, TO-220AB, 通孔
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产品概述
The IRF540ZPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
- 175°C Operating temperature
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
36A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
92W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.0265ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.002