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IRF5210STRLPBF
功率场效应管, MOSFET, P通道, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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|---|---|
| 1+ | CNY29.720 (CNY33.5836) |
| 10+ | CNY18.440 (CNY20.8372) |
| 100+ | CNY13.990 (CNY15.8087) |
| 500+ | CNY10.890 (CNY12.3057) |
| 1000+ | CNY10.670 (CNY12.0571) |
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产品概述
The IRF5210STRLPBF is a HEXFET® single P-channel Power MOSFET offers of this design is a 150°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of other applications.
- Advanced process technology
- Ultra-low ON-resistance
- Fast switching
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
38A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
3.8W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00143