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| 10+ | CNY11.240 (CNY12.7012) |
| 100+ | CNY10.180 (CNY11.5034) |
| 500+ | CNY8.060 (CNY9.1078) |
| 1000+ | CNY7.910 (CNY8.9383) |
| 5000+ | CNY7.740 (CNY8.7462) |
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最低: 1
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产品概述
IRF5210PBF是一款P沟道HEXFET®功率MOSFET。这款HEXFET® 率MOSFET采用先进的处理技术, 实现极低的导通电阻。
- 先进的工艺技术
- 新型, 超低导通电阻
- 快速开关
- 动态dv/dt能力
- 完全雪崩评级
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
40A
晶体管封装类型
TO-220AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
200W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.06ohm
晶体管安装
通孔
阈值栅源电压最大值
4V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.00204

